| 2010年10月18日热点新闻： 新一代存储器的大型共同开发项目即将在日本启动。尔必达存储器、夏普、东京大学以及产业技术综合研究所将联手开发Gbit级可变电阻式存储器（ReRAM）。此次开发将结合夏普拥有的可变电阻元件等材料技术和尔必达存储器拥有的量产技术等。 此次开发的ReRAM瞄准弥补便携产品和各种台式产品中DRAM与NAND闪存之间的性能差。在电子设备中作为工作内存（Work Memory）使用的DRAM时，最近通过导入DDR3接口，传输速度不断提高。今后还将导入DDR4接口等，估计传输速度将会更快。而另一方面，作为存 储介质不断推进利用的NAND闪存方面，伴随着以多值化为代表的大容量化，写入速度等性能出现降低趋势。“DRAM与NAND闪存的性能差不断扩大，因 此，为弥补这种性能差必须开发新的非易失性存储器”（尔必达执行董事兼CTO安达隆郎）。作为其候补，尔必达等... [详细] |
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